Проект 3.3 Гибкие светоизлучающие диоды на основе полупроводниковых А3В5 наноструктур

Руководитель проекта

Мухин Иван, д.ф.-м.н., доцент, директор - Высшая инженерно-физическая школа

Команда проекта

Винниченко М.Я., Неплох В.В., Федоров В.В., Харин Н.Ю., Надоян И.В., Соломонов Н.А., Новикова К.Н., Уханова М.Г. 

Цель проекта

Разработка гибких и растяжимых светоизлучающих диодов синего, зеленого и/или красного спектрального диапазона на основе полупроводниковых А3В5 наноструктур.

Польза проекта

  • Формирование технологической платформы для развития новой оптоэлектронной компонентной базы в гибком исполнении;
  • Появление новых светоизлучающих устройств, обладающих свойством гибкости, может повзолить производителем смартфонов и др. персональных устройств (например, носимой электроники) расширить линейку продукции, а также улучшить ее функциональные свойства;
  • Развитие нового научно-инженерного направления. Создание гибких СИД на основе полупроводниковых материалов А3В5, характеризующихся высоким квантовым выходом и увеличенным сроком службы.

Конкурентные характеристики

  • Улучшенные приборные характеристики (увеличенная яркость >30% в сравнении с органическими материалами); 

  • Увеличенный срок службы; 

  • Гибкость/эластичность светодиодных устройств. 

Партнеры